一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路

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一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路
申请号:CN202411639452
申请日期:2024-11-18
公开号:CN119401789B
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路,包括双边栅极驱动芯片、差分放大电路、模拟乘法器、串扰抑制电路。本发明通过差分放大电路提取对应的延时开关驱动信号,再由模拟乘法器将延时开关驱动信号与并联管经过抬升后的驱动信号进行相乘,生成对应将产生串扰的主功率管的串扰抑制电路开通信号,开启负向串扰抑制电路,另外正向串扰抑制电路中三极管将实时检测驱动电阻两端电压,一旦由正向串扰电流流过驱动电阻,将自动开启正向串扰抑制电路。本发明可以有效的消除串扰给混合并联造成的影响,具自适应性,且响应速度快,实时性好的优点。
技术关键词
运算放大器 串扰抑制电路 模拟乘法器 驱动信号 电阻 PNP型三极管 双边栅极驱动 延时开关 NPN型三极管 N沟道 电压 MOSFET栅极 二极管 支路 输入端 电容 芯片
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