半导体结构及其制作方法和半导体器件

一种半导体结构及其制作方法和半导体器件，该半导体结构包括：中介层，中介层中具有由中介层顶面朝向中介层内部延伸的孔槽和沟槽；电容，位于孔槽和沟槽中，电容包括依次层叠的第一电极层、电容介质层以及第二电极层，电容介质层覆盖第一电极层的表面，第二电极层覆盖电容介质层的表面；其中，沟槽还沿平行于中介层顶面的一预设方向延伸且连通多个沿预设方向间隔排列的孔槽，孔槽的宽度尺寸大于沟槽的宽度尺寸，宽度尺寸的方向平行于中介层顶面且与预设方向垂直。该半导体结构具有容量大、充放电快、集成度高的优点，其排布方式也能较好地解决应力问题。