一种Micro LED显示芯片及其制备方法

本发明属于LED显示芯片技术领域，公开了一种Micro LED显示芯片及其制备方法，本发明通过超快脉冲激光对外延片MQW层进行加工，从而使后续沉积加工制备出可以免ICP蚀刻的EBL层和P‑GaN层，使得构筑竖直分布LED显示芯片的制备方法大为简化，同时通过阴极浅槽网络和深通孔设计可以实现较大电流密度，能够有效防止光串扰。