一种低温漂MEMS谐振压力传感器敏感芯片及其制备方法

本发明属于微机电传感器领域，具体涉及一种低温漂MEMS谐振压力传感器敏感芯片及其制备方法；包括：从上至下依次键合连接的盖帽层、谐振层、感压层和隔离基座；盖帽层上设有电极通孔和真空腔凹槽，真空腔凹槽中溅射有吸气剂；谐振层上设有两个Si‑SiO2复合谐振器和多个引线盘，每个引线盘上设置有金属电极；金属电极与盖帽层电极通孔数量相等且金属电极位于电极通孔正下方；感压层正面设置有两组硅岛，反面设置有三个尺寸相同的矩形敏感膜；隔离基座为玻璃台；本发明大大提高了传感器输出灵敏度，且降低了芯片加工复杂度，减少额外应力、材料的引入。