铝铜叠die芯片Sub层的制作方法及应用

本发明公开了一种铝铜叠die芯片Sub层的制作方法及应用，该方法包括：使用RIE设备刻蚀去除芯片表面的氧化铝层，露出铝金属层；通过湿法化学反应去除暴露的铝金属层，露出硅衬底层；使用RIE设备刻蚀去除硅衬底层和氧化铜层，露出铜布线层；通过湿法化学反应去除一部分铜布线层，直至剩余邻近Sub层的1～2层铜布线层，其中，铜布线层之间的阻挡层通过研磨法去除；使用氢氟酸和氯化钠的混合溶液去除剩余的铜布线层。本发明提供的铝铜叠die芯片Sub层的制作方法及应用，通过分阶段使用干法刻蚀和湿法化学反应相结合的工艺，精确去除铝铜叠die芯片的多层结构，实现了Sub层的高质量暴露。