一种低温下高储能BaTiO3铁电薄膜及其方法与应用

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一种低温下高储能BaTiO3铁电薄膜及其方法与应用
申请号:CN202411646893
申请日期:2024-11-18
公开号:CN119506779A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
本发明涉及薄膜材料制备技术领域,具体提供一种低温下高储能BaTiO3铁电薄膜及其方法与应用。所述BaTiO3铁电薄膜的制备方法包括如下步骤:基体处理、在基体上沉积底电极、在底电极上沉积缓冲层、在缓冲层上沉积钛酸钡介电层、在钛酸钡介电层上沉积顶电极。底电极上沉积缓冲层包括如下步骤:采用LaNiO3靶材,将温度保持在200℃以射频或直流磁控溅射的方式在基体上沉积缓冲层;缓冲层总膜厚为0~50nm。解决了现有技术中200℃下的原位制法制得的钛酸钡薄膜能性能较差,无法满足应用需求以及缓冲层厚度对BaTiO3铁电薄膜性能的调控问题。
技术关键词
基体上沉积 缓冲层 电极 介电层 储能 真空镀膜 磁控溅射方式 钛酸钡薄膜 洗涤剂 射频 半导体基片 气氛 集成器件 电子芯片 薄膜材料
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