晶圆的缺陷检测方法及装置

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晶圆的缺陷检测方法及装置
申请号:CN202411653029
申请日期:2024-11-19
公开号:CN119517775B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种晶圆的缺陷检测方法及装置,属于半导体制造技术领域。晶圆的缺陷检测方法,包括:对待判定的晶圆进行缺陷边界的提取,确定晶圆的缺陷的形貌信息,形貌信息包括断点数量、缺陷分布密度、每段缺陷的长度及角度;根据形貌信息生成包括多个特征矢量的缺陷密度矩阵,缺陷密度矩阵用于表征缺陷的密度变化及断点分布情况;利用缺陷判定模型对缺陷密度矩阵进行评估,得到晶圆的风险分数;将晶圆的风险分数与预设的风险阈值进行比较,将风险分数大于风险阈值的晶圆判定为出现未连续Special pattern缺陷的晶圆。本发明能够识别未连续Special pattern缺陷的晶圆。
技术关键词
缺陷检测方法 风险 密度 断点 矩阵 参数 缺陷检测装置 处理器 可读存储介质 样本 拟合算法 计算机程序产品 分布特征 模块 特征点 存储器 滤波器 电子设备 半导体
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