摘要
本发明提供了一种晶圆的缺陷检测方法及装置,属于半导体制造技术领域。晶圆的缺陷检测方法,包括:对待判定的晶圆进行缺陷边界的提取,确定晶圆的缺陷的形貌信息,形貌信息包括断点数量、缺陷分布密度、每段缺陷的长度及角度;根据形貌信息生成包括多个特征矢量的缺陷密度矩阵,缺陷密度矩阵用于表征缺陷的密度变化及断点分布情况;利用缺陷判定模型对缺陷密度矩阵进行评估,得到晶圆的风险分数;将晶圆的风险分数与预设的风险阈值进行比较,将风险分数大于风险阈值的晶圆判定为出现未连续Special pattern缺陷的晶圆。本发明能够识别未连续Special pattern缺陷的晶圆。
技术关键词
缺陷检测方法
风险
密度
断点
矩阵
参数
缺陷检测装置
处理器
可读存储介质
样本
拟合算法
计算机程序产品
分布特征
模块
特征点
存储器
滤波器
电子设备
半导体
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