一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质

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一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质
申请号:CN202411656443
申请日期:2024-11-19
公开号:CN119511033B
公开日期:2025-07-22
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括:通过通信协议转换控制器将待测试芯片内部用于芯片测试的标准五线通信转换为目标两线通信,得到目标芯片;选取用于高电压应力测试的测试模式,并确定对目标芯片进行高电压应力测试的测试电压和测试时间;在测试模式下,根据测试电压和测试时间对目标芯片进行测试,并将测试结果作为待测试芯片的老化测试结果。通过将待测试芯片内部的标准五线通信转换为目标两线通信得到的目标芯片,并获取目标芯片在高电压应力测试下得到的测试结果作为老化测试结果,可以在仅通过两个测试通道完成所有测试项的同时,降低芯片各项测试的测试时间,进而减低测试成本、提高测试效率。
技术关键词
电压 老化测试方法 通信转换模块 时钟 转换控制器 端口 两线 芯片老化测试装置 移位寄存器 应力 模式 电子设备 可读存储介质 计算机 处理器通信 测试模块 存储器 逻辑
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