沟道退化监测电路、芯片退化监测电路及芯片

本发明涉及集成电路及芯片技术领域，提供一种沟道退化监测电路、芯片退化监测电路及芯片。沟道退化监测电路包括退化反相器，退化反相器包括第一高压晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻，第一高压晶体管的栅极通过第一电阻连接退化反相器的输入端，并通过第二电阻接地，第一高压晶体管的漏极通过第三电阻连接芯片的电源端，第一高压晶体管的漏极与第三电阻之间的节点作为退化反相器的输出端。本发明针对高压器件的沟道退化、栅氧退化和衬底退化分别设计相应的监测电路并进行集成，能够支持高压器件及电路的退化监测和预警，可以内嵌到电源与隔离驱动芯片中，克服了现有监测电路仅适用于监测低压SOC芯片、无法监测高压电路及芯片的缺陷。