器件沟道退化监测电路及芯片

本发明涉及集成电路及芯片技术领域，提供一种器件沟道退化监测电路及芯片。该电路包括退化环形振荡器，退化环形振荡器包括奇数个串行连接的退化反相器；退化反相器中第一晶体管为高压功率晶体管，第一晶体管的漏极通过隔离耐压器件与第二晶体管的漏极相连，第二晶体管的栅极连接第二输入端，第二晶体管的漏极与隔离耐压器件之间的节点连接第二输出端。克服了现有监测电路仅适用于监测低压SOC芯片、无法监测高压电路及芯片的缺陷，本发明能够支持高压器件及电路的退化监测和预警，可以内嵌到电源与隔离驱动芯片中，并克服了目前仅对芯片做初始出厂时老化可靠性预测，无法预警高压电源、隔离芯片随着工作时间、实时动态经时老化监测的难题。