器件栅氧退化监测电路及芯片

本发明涉及集成电路及芯片技术领域，提供一种器件栅氧退化监测电路及芯片。所述电路的第一支路与第二支路通过电流镜或双极性晶体管相连；第一支路包括MOS电容组，第二支路包括反相器；MOS电容组包括多个并联连接的高压MOS管；每个高压MOS管的栅极相连，每个高压MOS管的源极与漏极短接。本发明克服了现有监测电路仅适用于监测低压SOC芯片、无法监测高压电路及芯片的缺陷，能够支持高压器件及电路的栅氧退化监测，可以内嵌到电源与隔离驱动芯片中，并克服了目前仅对芯片做初始出厂时老化可靠性预测，无法预警高压电源、隔离芯片随着工作时间、实时动态经时老化监测的难题。