一种半导体激光器的腔面处理方法和半导体激光器

本申请公开一种半导体激光器的腔面处理方法和半导体激光器，该方法将经过大气解理和预处理的激光器芯片堆叠放置到进样腔进行第一热处理，随后在生长腔依次进行第二热处理、注入还原性气体冲击和进行第三热处理，并注入含氟离子源气体对GaAs基底表面进行表面氟化处理以在GaAs基底表面生成宽禁带的第一厚度的金属氟化层，并注入含氢氮离子源气体和蒸镀金属铝源，在金属氟化层之上生成第二厚度的氢化氮化铝层，得到金属氟化层和氢化氮化铝层构成的钝化层。本申请可以降低GaAs基半导体激光器腔面的表面态密度，增强抗光学灾变损伤性能，从而提高半导体激光器的性能和可靠性。