一种半导体激光器芯片的可靠性测试方法

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正文
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一种半导体激光器芯片的可靠性测试方法
申请号:CN202411659394
申请日期:2024-11-20
公开号:CN119147946B
公开日期:2025-04-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种半导体激光器芯片的可靠性测试方法,涉及激光器芯片领域。该方法包括:在同批次的激光器芯片中选取多个测试芯片;在不同的测试温度下分别测试多个测试芯片随电流变化的功率,以确定高温老化条件与高功率老化条件;在同批次的激光器芯片中选取多个高温老化芯片与多个高功率老化芯片;以高温老化条件对多个高温老化芯片进行高温老化后,统计高温失效数量;以高功率老化条件对多个高功率老化芯片进行高功率老化后,统计高功率失效数量;根据高温失效数量与高功率失效数量,判断影响同批次的激光器芯片可靠性的主要因素。本发明提供的导体激光器芯片的可靠性测试方法能够判断影响同批次的激光器芯片可靠性的主要因素。
技术关键词
可靠性测试方法 半导体激光器芯片 高功率 Arrhenius模型 电流 因子 外延 压力 关系
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