补偿模型创建方法、光刻曝光仿真方法、装置及设备

本发明公开了一种补偿模型创建方法、光刻曝光仿真方法、装置及设备，该补偿模型创建方法包括：根据芯片图案样本，确定测试掩膜图案对应的掩膜图案透射参数；并采集测试掩膜图案对应的曝光图像数据集；将掩膜图案透射参数输入至构建的神经网络模型，获得预测补偿参数；将预测补偿参数和掩膜图案透射参数输入至计算光刻模型，获得仿真曝光图像；将仿真曝光图像与曝光图像数据集中真实曝光图像进行误差对比，获得对比误差；根据对比误差对神经网络模型进行优化，直到对比误差不大于预设误差，则获得补偿神经网络模型。本申请中补偿神经网络模型的训练简单易实现且准确性高，有利于提升计算光刻模型模拟仿真的准确性。