一种高性能ic芯片的专用材料制造参数优化方法

本发明公开了一种高性能ic芯片的专用材料制造参数优化方法，涉及集成电路技术领域，包括：采用多级缓存结构对集成电路芯片的整体架构进行优化，并在集成电路芯片表面设置散热鳍片对芯片进行热管理优化；对集成电路芯片的掺杂工艺参数进行优化；优化离子注入与扩散工艺参数组合；优化集成电路芯片的光刻工艺参数；优化集成电路芯片的蚀刻工艺参数；对集成电路芯片内部的时序路径进行分析，输出信号传输延迟最长的路径和时序冲突点；调整集成电路芯片中电路的布局和布线并优化逻辑设计，减少信号传输延迟最长的路径的信号延迟和时序冲突点的时序冲突。通过设计专用的高性能IC芯片，以提供更高的性能和效率。