一种PSRR优化电路及低压差线性稳压器芯片

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一种PSRR优化电路及低压差线性稳压器芯片
申请号:CN202411663423
申请日期:2024-11-19
公开号:CN119512299B
公开日期:2025-09-26
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种PSRR优化电路,涉及集成电路技术领域,包括一种PSRR优化电路,其特征在于,包括:NMOS管NM1、M个串联的NMOS管,包括NMOS管NM2、NMOS管NM3、……、NMM、NMOS管NMM+1,PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5,N个串联的NMOS耗尽管,包括NMOS耗尽管NMOS1、NMOS耗尽管NMOS2、……、NMOS耗尽管NMOSN‑1、NMOS耗尽管NMOSN,电阻R1、电阻R2和电容C1;本发明还公开了一种低压差线性稳压器芯片,设置上述PSRR优化电路。本发明消除了版图寄生电容的影响,显著提高了PSRR。
技术关键词
低压差线性稳压器 栅极 电阻 集成电路技术 电容 芯片 版图 电压 电源
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