划裂方法

提供了一种划裂方法，属于半导体制造领域。该方法包括：在所述发光二极管芯片远离蓝宝石衬底的一面贴附第一蓝膜，所述正装发光二极管芯片的厚度不小于200微米；使用双焦点激光器对所述发光二极管芯片的另一面进行划片处理；在所述划片处理过程中，控制所述双焦点激光器射出的激光的两个焦点在所述发光二极管芯片内的距离为25～30μm，控制所述蓝宝石衬底的非斜裂面的点间距为5～7μm，所述蓝宝石衬底的斜裂面的点间距为9～10μm；控制所述双焦点激光器的参数、所述双焦点激光器的出光角度和所述双焦点激光器的功率，使所述激光照射到所述发光二极管芯片上的线条波动范围为‑2μm至2μm；采用劈刀对划片后的所述发光二极管芯片进行裂片。