集成MEMS芯片及其制造方法

一种集成MEMS芯片及其制造方法，其中，制造方法包括：形成第一基底，包括第一结构层、以及位于第一结构层表面的第一介电膜，第一结构层具有相互独立的第一开口和第二开口，第一介电膜与第一结构层的材料不同；在第一基底上形成MEMS结构层，MEMS结构层内具有朝向第一基底开口的辅助沟槽，辅助沟槽的槽长大于槽深；在MEMS结构层上键合第二基底；在键合第二基底后，自相对第一介电膜的一侧刻蚀第一基底，形成导电通孔，导电通孔和第一开口分别与微气通道连通；经导电通孔和微气通道向第一空腔抽气或进气；在导电通孔内形成第一电互连结构，第一电互连结构与辅助沟槽的槽底连接。该制造方法能够为同一MEMS芯片上的不同传感器分别设定各自的气压。