一种铜柱的制备方法
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一种铜柱的制备方法
申请号:
CN202411668527
申请日期:
2024-11-21
公开号:
CN119162622B
公开日期:
2025-03-07
类型:
发明专利
摘要
本发明属于半导体领域,具体涉及一种铜柱的制备方法。本发明在芯片晶圆上电镀铜柱过程中,采用的电镀液含有聚环氧乙烷‑聚环氧丙烷‑聚环氧乙烷三嵌段共聚物和聚丙烯酰胺,可以明显提高铜柱表面的平整度及铜柱高度的均一性。
技术关键词
三嵌段共聚物
环氧乙烷
金属化
晶圆衬底
环氧丙烷
两性聚丙烯酰胺
阴离子聚丙烯酰胺
阳离子聚丙烯酰胺
焊盘
聚乙二醇
光刻胶
丙烷磺酸盐
电镀铜柱
电镀液
丙磺酸盐
巯基
芯片
沪ICP备2023015588号