一种铜柱的制备方法

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一种铜柱的制备方法
申请号:CN202411668527
申请日期:2024-11-21
公开号:CN119162622B
公开日期:2025-03-07
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体领域,具体涉及一种铜柱的制备方法。本发明在芯片晶圆上电镀铜柱过程中,采用的电镀液含有聚环氧乙烷‑聚环氧丙烷‑聚环氧乙烷三嵌段共聚物和聚丙烯酰胺,可以明显提高铜柱表面的平整度及铜柱高度的均一性。
技术关键词
三嵌段共聚物 环氧乙烷 金属化 晶圆衬底 环氧丙烷 两性聚丙烯酰胺 阴离子聚丙烯酰胺 阳离子聚丙烯酰胺 焊盘 聚乙二醇 光刻胶 丙烷磺酸盐 电镀铜柱 电镀液 丙磺酸盐 巯基 芯片
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