一种电阻式存储器的模拟电导态高速写入方法及应用

本发明提供了一种电阻式存储器的模拟电导态高速写入方法，属于半导体、模拟计算和集成电路领域。本发明方法基于电学信号连接输入模块、参考电阻模块、电阻式存储器模块和反馈模块构成的连续时间域内的反馈回路，可以在连续时间内自主编程电阻式存储器到达任意模拟电导态，并且通过反馈信号实现智能判断是否到达目标电导态并终止写入的过程，无需多轮读取验证，提高了器件的编程速度，且无需模数转换和额外的逻辑判断电路，可以极大地提高矩阵运算加速器中存储器阵列编程的速度和效率，充分发挥出模拟计算和存内计算的潜力，对于加速神经网络推理和训练等需要大量器件编程的场景有着重要意义和广阔的发展前景。