一种中远红外高反膜及其制备方法

本发明提供一种中远红外高反膜及其制备方法，包括从下到上依次连接的第一绝缘层、第一粘附层、金属反射层、第二粘附层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层在中远红外波段具有高透过率并将激光芯片与上电极、下电极进行绝缘隔离，金属反射层进行中远红外激光的反射。本发明在激光芯片后腔面蒸镀该高反膜，利用Au层的高反射特性，使得整个膜系结构在4‑6μm中红外波段的反射率大于95％，在8‑14μm远红外波段的反射率大于99％。本发明膜系结构的总厚度不超过1.3μm，远小于常规介质高反膜，减小了膜层脱落的风险。此外，两个绝缘层的设计避免了激光芯片上下电极短路，可适用于正装焊接及倒装焊接的激光芯片。