一种碳纳米条带及其制备方法和应用

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一种碳纳米条带及其制备方法和应用
申请号:CN202411671732
申请日期:2024-11-21
公开号:CN119160881B
公开日期:2025-02-21
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种碳纳米条带及其制备方法和应用,该碳纳米条带包括第一碳纳米条带和第二碳纳米条带,其中:所述第一碳纳米条带具有P2/m点群且仅含有五元碳环和七元碳环,呈金属性;所述第二碳纳米条带具有Pmc21点群且仅含有五元碳环和七元碳环,呈半导体。本发明提供了该碳纳米条带的制备方法,以1,5‑二溴‑1,5环辛二烯作为前体分子,由碳、氢两种元素通过sp2杂化形成仅具有纯五元碳环和七元碳环的碳纳米条带。本发明中的碳纳米条带完全不含六元碳环,是一种具有良好导电特性的强金属性碳纳米条带,具有广阔的应用前景。
技术关键词
条带 纳米 辛二烯 超高真空环境 导电线 真空压强 半导体 分子 衬底 元素 单晶 镀膜 外延 芯片 速度
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