垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法、芯片、激光雷达

本发明涉及一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法、芯片、激光雷达，所述方法包括：提供一外延层，包括依次叠设在基底上的第一反射镜、有源层及第二反射镜；对外延层进行台面刻蚀，形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第一电极；形成覆盖第一电极的第一钝化层；进行质子注入，形成质子注入区；形成覆盖第一钝化层的第二钝化层；形成将若干第二电极电性连接的金属连线层，金属连线层与第一电极之间通过第一钝化层和第二钝化层绝缘隔离。本发明的第一钝化层采用较薄的厚度以减轻其对形成质子注入区的质子注入的阻挡力度，且两层钝化层结构能够避免钝化层质量差，从而保证金属连线层与第一电极之间的有效隔离，降低器件失效短路的风险。