一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法

本发明提出了一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法。属于半导体器件测试技术领域；所述方法包括：进行芯片的版图设计时，引入测试专用的WL、BL和SL；在测试阶段，对所有SL线施加高电平信号，然后依次对所有WL线施加高电平信号，检测MOS管的栅介质是否发生击穿；若确定芯片中存在失效的晶体管，则对具体的失效晶体管进行进一步定位，且，再次对所有SL线施加高电平信号，并依次对每个WL线施加高电平信号，观察各BL线的输出。通过系统化的测试步骤，可以迅速定位晶体管栅介质的失效点，减少测试时间和人力成本。