一种晶圆级集成结构及其制作方法

本发明公开了一种晶圆级集成结构及其制作方法，晶圆级集成结构包括：有机基板、芯片单元层、导电凸起层及器件模组层。有机基板包括依次层叠设置的第一重布线层、有机晶圆主体和第二重布线层；有机晶圆主体包括多个有机通孔；第一重布线层与第二重布线层通过有机通孔电连接；芯片单元层位于第一重布线层远离有机晶圆主体的一侧，且与第一重布线层电连接；芯片单元层包括多个半导体芯片；导电凸起层位于第二重布线层远离有机晶圆主体的一侧，且与第二重布线层电连接；器件模组层位于导电凸起层远离第二重布线层的一侧，且与导电凸起层电连接。本发明提供了一种晶圆级集成结构及其制作方法，可以提高晶圆级集成结构的带宽，也可以减少通信路径。