一种晶圆级集成结构及其制作方法

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一种晶圆级集成结构及其制作方法
申请号:CN202411689049
申请日期:2024-11-25
公开号:CN119581429B
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种晶圆级集成结构及其制作方法,晶圆级集成结构包括:玻璃基板、芯片单元层、导电凸起层及器件模组层。玻璃基板包括依次层叠设置第一导电图案层、层间基板和第二导电图案层;第一导电图案层通过层间基板与第二导电图案层电连接;层间基板包括至少一层层间导电图案层和至少两层层间玻璃主体;芯片单元层位于第一导电图案层远离层间基板的一侧,且与第一导电图案层电连接;导电凸起层位于第二导电图案层远离层间基板的一侧,且与第二导电图案层电连接;器件模组层位于导电凸起层远离第二导电图案层的一侧,且与导电凸起层电连接。本发明提供了一种晶圆级集成结构及其制作方法,可以提高晶圆级集成结构的带宽,也可以减少通信路径。
技术关键词
导电图案层 玻璃基板 电源模组 半导体芯片 高速连接器 散热层 存储芯片 层叠 无源器件 绝缘 通孔 电容 电阻
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