用于半导体工艺器件仿真的方法、电子设备及存储介质

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用于半导体工艺器件仿真的方法、电子设备及存储介质
申请号:CN202411690758
申请日期:2024-11-22
公开号:CN119203274B
公开日期:2025-03-04
类型:发明专利
摘要
本公开的实施例涉及用于半导体工艺器件仿真的方法、电子设备及存储介质。一种用于半导体工艺器件仿真的方法,半导体工艺器件包括沟槽,方法包括:确定半导体工艺器件的初始结构的初始模型;基于初始模型确定半导体工艺器件的表面预定点的位置坐标;基于对初始结构进行蚀刻所形成的沟槽的关键尺寸以及预定点的位置坐标确定沟槽模型;以及基于初始模型和沟槽模型形成半导体工艺器件模型。本公开的技术方案能够有效解决TCAD三维工艺仿真中沟槽的形貌失真问题,进一步提高变工艺仿真结果准确性。
技术关键词
半导体工艺器件 浅沟槽隔离区 多面体模型 坐标 有源区 栅极 工艺仿真 顶点 嵌入式硅锗 设备执行动作 蚀刻 尺寸 电子设备 处理器 可读存储介质 关键点 沟槽深度 指令
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