一种西沙瓦波声表面波谐振器、裸芯片及通信组件

本发明涉及声波谐振领域，特别是涉及一种西沙瓦波声表面波谐振器、裸芯片及通信组件，从下到上依次包括衬底、第一压电层、图形化的第二压电层及叉指电极；所述第一压电层和/或所述第二压电层包括钽酸锂层、铌酸锂层、氮化铝层、掺钪氮化铝层、氧化锌层及压电陶瓷层中的至少一种；所述第一压电层的声阻抗与所述叉指电极的声阻抗的差，及所述第二压电层的声阻抗与所述叉指电极的声阻抗的差，均不小于预设的阻拦阈值。本发明能与体声波谐振器集成在同一裸芯片上，并限定第一压电层和第二压电层的声阻抗分别与叉指电极的声阻抗之间差值的最小值，将更多的西沙瓦波能量集中到有效区，从而在减小空间占用的同时，提升机电耦合系数，增加输出功率。