一种西沙瓦波声表面波谐振器、裸芯片及通信组件

本发明涉及声波谐振领域，特别是涉及一种西沙瓦波声表面波谐振器、裸芯片及通信组件，从下到上依次包括衬底、定向导能结构、第一压电层、图形化的第二压电层及叉指电极；所述第一压电层和/或所述第二压电层包括钽酸锂层、铌酸锂层、氮化铝层、掺钪氮化铝层、氧化锌层及压电陶瓷层中的至少一种；所述定向导能结构包括空腔和/或布拉格结构层。本发明限定两压电层材料，使西沙瓦波声表面波谐振器可以与其他体声波谐振器直接集成在同一裸芯片上，并降低了了西沙瓦波的能量向衬底的方向的泄漏，在大大减小声表面波谐振器与体声波谐振器组成的复合谐振器的空间占用的同时，提升了谐振器的机电耦合系数，增加了谐振器的输出功率。