一种砷化镓系LED外延结构及LED芯片

本发明提供了一种砷化镓系LED外延结构及LED芯片，包括：砷化镓衬底；位于所述衬底一侧表面依次层叠的N型半导体层、有源层以及P型半导体层；其中，在所述砷化镓衬底与所述N型半导体层之间设有复合型缓冲层；所述复合型缓冲层包括在所述砷化镓衬底表面依次设置的第一GaAs缓冲层、缺陷生长层和缺陷终止层，所述缺陷生长层用于使所述第一GaAs缓冲层的晶体缺陷扩大，所述缺陷终止层通过改变所述晶体缺陷的生长方向而终止所述晶体缺陷的生长。基于上述设置，可以有效避免因砷化镓衬底表面的刮伤及缺陷等为起点所形成的外延层错位、堆垛缺陷等结晶缺陷甚至滑移，提升长晶质量，同时成本提升较小。尤其适用高功率LED和小尺寸(如Mini、Micro)LED。