存储芯片及其温度加速因子值的计算方法、存储设备

本申请公开了一种存储芯片及其温度加速因子值的计算方法、存储设备，所述计算方法包括步骤：记录第一存储芯片的第一存储状态数据和第二存储芯片的第二存储状态数据；当所述第二存储状态数据与所述第一存储状态数据之间的偏差小于预设百分比时，计算得出模拟温度加速因子；通过将第一实验温度、第二实验温度和模拟温度加速因子带入第一公式计算得出活化能参数；将所述活化能参数带入第二公式计算出温度加速因子值；其中，所述第一实验温度高于所述第二实验温度。通过上述方法，能够准确计算每个存储芯片在高温下的温度加速因子。