一种基于开通过程栅极电压信号的IGBT缺陷检测方法及装置

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正文
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一种基于开通过程栅极电压信号的IGBT缺陷检测方法及装置
申请号:CN202411695949
申请日期:2024-11-25
公开号:CN119644079A
公开日期:2025-03-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种基于开通过程栅极电压信号的IGBT缺陷检测方法及装置,包括:基于IGBT开通过程栅极电压信号,获取IGBT实际工作时目标阶段电压波形;根据所述IGBT实际工作时目标阶段电压波形,计算得到IGBT实际工作时目标阶段栅极回路放电时间;根据所述IGBT实际工作时目标阶段栅极回路放电时间,分析判断待测IGBT是否存在栅射极回路缺陷。本发明通过IGBT开通过程栅极电压波形分析栅极回路放电时间的变化,进而判断IGBT是否发生了栅射极回路缺陷,提高了检测效率。在IGBT存在栅射极回路缺陷时,采用本发明的技术方案还可以知道IGBT具体存在栅射极回路缺陷的封装芯片数量,可以实现定量检测。
技术关键词
栅极电压信号 回路 续流二极管 直流母线电容 阶段 电感 缺陷检测方法 封装芯片 电阻 波形 计算机程序产品 驱动电源 缺陷检测装置 处理器 关断 计算机设备
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