基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法及装置

本申请提供了一种基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法及装置，该方法包括：获取目标IGBT的芯片总数、在栅极电压下降阶段的第一正常栅极电流、第一实际栅极电流、在米勒平台阶段的第二正常栅极电流和第二实际栅极电流；并确定在栅极电压下降阶段的第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、在米勒平台阶段的第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量；根据芯片总数、第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量，完成目标IGBT的内部缺陷定位。本申请能够实现绝缘栅双极晶体管内部缺陷的定位，便于接下来对绝缘栅双极晶体管的维护。