半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能，所述半导体器件包括衬底、盖帽层、栅极层、保护层、源极和漏极，盖帽层设置于所述衬底的一侧，栅极层设置于所述盖帽层远离所述衬底的一侧，保护层至少位于所述栅极层在第一方向上的相对两侧，且设置于所述盖帽层远离所述衬底的一侧，所述第一方向平行于所述衬底，源极和漏极沿所述第一方向位于所述盖帽层的相对两侧。上述半导体器件应用于芯片中。