液晶高分子及其制备方法、薄膜材料、微流控芯片与设备

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液晶高分子及其制备方法、薄膜材料、微流控芯片与设备
申请号:CN202411697370
申请日期:2024-11-26
公开号:CN119192540B
公开日期:2025-03-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种偶氮苯液晶高分子材料,由偶氮苯液晶高分子材料前驱体与交联剂交联反应后得到,交联反应是偶氮苯液晶高分子材料前驱体侧链上的呋喃基团与交联剂反应,前驱体由CAB单体、CABO单体以及CA单体开环易位聚合反应得到,CAB单体具有式(Ⅰ)所示结构,CABO单体具有式(Ⅱ)所示结构,CA单体具有式(Ⅲ)所示结构,偶氮苯液晶高分子材料具有式(Ⅳ)所示结构:开环易位聚合反应时,CAB单体、CABO单体以及CA单体的投料摩尔比为x:y:z,x=3,y=1,z的取值范围为0.5‑3。液晶材料取向更加稳定,光致形变能力和循环性能更好。本发明还公开高分子材料制备方法、液晶薄膜材料及制备方法、微流控芯片与设备。
技术关键词
液晶高分子材料 液晶薄膜材料 偶氮苯 开环易位聚合反应 单体 液晶聚合物薄膜 微流控芯片 交联剂 光致形变 微流控设备 开环聚合反应 取向 弯曲变形量 紫外光 应力场 进样口 催化剂 液晶材料
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沪ICP备2023015588号