一种基于显存测试结果的DDR参考电压自动调整方法

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一种基于显存测试结果的DDR参考电压自动调整方法
申请号:CN202411699353
申请日期:2024-11-26
公开号:CN119621448B
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种基于显存测试结果的DDR参考电压自动调整方法,包括:DDR系统初始化;对DDR系统进行显存测试,显存测试通过,无需调整;显存测试不通过,若是RX方向的操作出错,则调整DRAM侧的输出驱动阻抗ODI;若是TX方向的操作出错,若向DRAM侧中写入0,被判断为1,则调高参考电压Vref;若向DRAM中写入1,被判断为0,则调低参考电压Vref。本发明根据显存测试的结果自动调整DDRVref,为Vref的调整提供可靠的理论依据,可缩短存储系统及芯片的调试周期,同时提升DDR数据的可靠性,提高系统整体的稳定性,只需选择一个存储系统的最高频率进行调试,无需逐个频率调试。
技术关键词
DDR系统 电压 存储系统 测试工具 开关 时钟 数据线 电平 频率 档位 基础 芯片 周期
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