一种高压LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种高压LED芯片及其制备方法，制备方法包括：对外延层远离衬底的一侧涂覆正性光刻胶；提供第一掩膜版，调整第一掩膜版的位置，使第一掩膜版的透光区与非桥接区的预设位置相对应，进行曝光处理，使非桥接区形成具有陡直角度的倾斜面；提供第二掩膜版，所述第二掩膜版具有多个不同尺寸的透光区，调整第二掩膜版的位置，使第二掩膜版的透光区与桥接区的预设位置相对应，利用第二掩膜版的多个不同尺寸的透光区进行n次光刻，使桥接区形成具有平缓角度的倾斜面，其中，n≥1且为整数；进行显影处理、刻蚀处理。实施本发明的制备方法，有效增加了发光面积，同时又利于电极桥接，使得到的高压LED芯片具有良好的发光效率和发光亮度。