基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构及制备方法

本发明公开了基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构及制备方法，基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构的制备方法包括：在硅衬底上沉积SiO2硬掩模；通过光刻和刻蚀工艺去除SiO2硬掩模的特定区域，直至硅衬底表面形成预设的刻蚀窗口；通过刻蚀工艺，在刻蚀窗口中刻蚀裸露的硅衬底，从而形成四棱台形状的散热硅通孔；在散热硅通孔上依次沉积第一TiN阻挡层、VO2相变材料层、第二TiN阻挡层、Cu种子层和Cu填充层。本发明公开的基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构及制备方法，实现了脉冲式高能量密度芯片中的热量的高效耗散。