环栅场效应晶体管及其制备方法、芯片和电子设备

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及公开了一种环栅场效应晶体管及其制备方法、芯片和电子设备，该制备方法包括：在衬底上垂直生长出垂直纳米线；在所述垂直纳米线生长至预定高度后，改变纳米线生长方向，横向生长出源极、沟道和漏极；沉积一层包围所述垂直纳米线、源极、沟道和漏极的栅极介质材料，并刻蚀得到栅极介质层，所述栅极介质层包围所述沟道。该技术方案可以降低制造难度和生产成本，主要用于制备环栅场效应晶体管。