一种OLED封装区域膜层厚度偏移量测量方法及系统

AITNT
正文
推荐专利
一种OLED封装区域膜层厚度偏移量测量方法及系统
申请号:CN202411705775
申请日期:2024-11-26
公开号:CN119533312A
公开日期:2025-02-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种OLED封装区域膜层厚度偏移量测量方法及系统,涉及OLED封装检测技术领域,所述方法流程为:获取OLED封装区域的膜层线宽区域图像;对膜层线宽区域图像进行虚拟标尺提取处理,以得到虚拟标尺的零刻度线;对膜层线宽区域图像进行膜层分割线提取处理,以得到不同膜层的分界线;基于零刻度和分界线对不同膜层进行厚度偏移量计算,以得到膜层厚度偏移量。本发明首先获得虚拟标尺的零刻度线和不同膜层的分界线,然后获取虚拟标尺的零刻度线和不同膜层的分界线的距离,并且通过零刻度线和分界线的距离来衡量OLED封装区域膜层厚度偏移量,能够实现膜层厚度偏移量的自动测量,解决了OLED封装区域的膜层厚度偏移测量效率低、误差大的问题。
技术关键词
虚拟标尺 OLED封装 偏移量测量方法 膜层厚度测量方法 图像获取单元 坐标 刻度线 中心线 轮廓图像 矩形 可读存储介质 处理器 像素点 边缘轮廓 计算机设备 存储器 误差
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号