一种GaN HEMT器件电压振荡预测分析系统

本发明涉及半导体与功率变换器领域，具体涉及一种GaN HEMT器件电压振荡预测分析系统，包括Simulink模型实现模块和GUI界面实现模块；所述GUI界面实现模块包括双脉冲测试电路图展示部分、双脉冲测试电路元件参数输入及仿真控制部分与电压振荡预测波形显示部分；所述Simulink模型实现模块用于转换spice模型为Simscape模型、构建双脉冲测试仿真电路、仿真数据计算以及运行仿真并进行仿真数据输出。本发明可精准预测GaN HEMT器件的电压振荡，用户可选择器件厂商和型号并设置参数，直观观测振荡情况，同时支持快速比较不同器件及参数的性能，减少对复杂电路和昂贵设备的依赖，显著降低时间和经济成本，提高开发效率。