一种GaN HEMT器件功率驱动寄生参数影响分析系统

本发明涉及半导体与功率变换器领域，具体涉及一种GaN HEMT器件功率驱动寄生参数影响分析系统，包括Simulink模型实现模块、GUI界面设计以及系统实现模块；Simulink模型实现模块用于转换spice模型为Simscape模型、搭建寄生参数影响分析测试仿真电路和仿真数据计算；GUI界面设计包括参数输入部分、绘制曲线控制部分和图像绘制坐标轴图窗显示部分；系统实现模块用于选择GaN元件、调整寄生电感参数、绘制电压振荡曲线以及关闭窗口。本发明采用Simulink与GUI联合仿真，节省了开发成本，具有高预测精度和可视化优势，降低了工程师和开发人员的学术要求，易于上手，同时辅助分析和优化了电路设计，提高了产品性能和可靠性。