一种高低温循环条件下功率半导体器件仿真方法

本发明公开了一种高低温循环条件下功率半导体器件仿真方法，通过获取功率半导体器件结构参数和材料参数，构建元胞三维模型，在此基础上构建半导体器件整体与元胞复合模型，并进行网格划分，在复合模型中添加温度载荷进行仿真模拟，并对模拟结果进行分析评估。本发明建立了半导体器件整体模型与元胞模型的耦合关系，综合了半导体器件整体与元胞模型之间不同尺寸维度，有效考虑了不同维度模型之间的相互作用，能够全面揭示半导体器件在高低温循环中的真实表现。