一种用于硅基芯片自毁的含能点火桥及其制备方法

本发明公开了一种用于硅基芯片自毁的含能点火桥及其制备方法，包括柔性点火层和沉积在其表面的含能材料层；所述柔性点火层包括桥区及对称设置在桥区两侧的电极区；所述含能材料层设置在桥区上；所述柔性点火层是含有纳米碳材料的高导电薄膜。本发明采用纳米碳材料制备的高导电薄膜作为点火层，展现出卓越的抗静电和抗电磁辐射干扰能力。这种特性显著降低了自毁组件误触发的风险，从而提升了自毁芯片的安全性。本发明含能材料层通过各组分的协同作用，实现了与点火层之间的原位组装和牢固结合。这种设计不仅确保了足够的高温高压释放能力，满足了硅基芯片破坏所需的能量要求，而且有效降低了静电感度。