模型生成方法、仿真方法、装置、电子设备及存储介质

本申请公开了一种模型生成方法、仿真方法、装置、电子设备及存储介质，属于仿真技术领域，包括：获取高电子迁移率晶体管的第一样本数据，以及第一样本数据对应的漏极电流标签；其中，第一样本数据包括样本栅源电压值、样本漏源电压值、样本结温值、样本第一陷阱时间值和样本第二陷阱时间值；基于第一神经网络根据第一样本数据输出的预测漏极电流和漏极电流标签确定电流损失值；基于电流损失值调整第一神经网络的参数，得到目标仿真模型。能够根据高电子迁移率晶体管在多种结温和陷阱时间值下的实测数据构建训练样本对包含神经网络的动态场效应晶体管模型进行训练，有助于提升针对高电子迁移率晶体管建立的目标仿真模型的准确性。