一种针对于高速模拟芯片的dummy填充方法

本发明提供一种针对于高速模拟芯片的dummy填充方法，该方法包括：测试每一层金属层的用来阻挡dummy填充的工艺层次的极限大小和极限间距；在所需要填充dummy的金属层等间距的使用所述极限大小的阻挡工艺层次；将每层阻挡工艺层次做成阻挡单元；根据所述极限间距和所述阻挡单元填充dummy。本发明根据每种芯片类型控制填充dummy密度，既满足drc要求，又减小填充dummy所产生的额外寄生电容造成芯片性能大幅度下降。