一种用于气体检测的晶圆级MEMS传感器的制备方法

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正文
推荐专利
一种用于气体检测的晶圆级MEMS传感器的制备方法
申请号:CN202411723254
申请日期:2024-11-28
公开号:CN119757472A
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本发明提出了一种用于气体检测的晶圆级MEMS传感器的制备方法,属于气体传感器的技术领域,用以解决硅基MEMS气体传感器中气敏薄膜厚度不均导致的传感器芯片稳定性差的技术问题。本发明MEMS传感器的制备包括如下步骤:(1)在硅晶圆基片上划分为若干个传感单元区域,在每个传感单元区域上制备微热板;(2)采用丝网印刷技术在每个微热板上方制备气敏厚膜,形成MEMS气体传感器阵列;(3)将MEMS气体传感器阵列进行高温烧结退火;(4)将退火后的MEMS气体传感器阵列划片、封装,形成单个MEMS气体传感器。本发明在完整晶圆上制备气敏厚膜,保证不同器件之间薄膜厚度维持一致,提升MEMS气体传感器的一致性和稳定性。
技术关键词
气体传感器阵列 金属氧化物粉体 微热板 丝网印刷技术 印刷油墨 MEMS传感器 传感器芯片 对准误差 醇类 氧化钨 基片 氧化锡
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