一种原位减小输出漂移的压力传感器芯片及其制备方法

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一种原位减小输出漂移的压力传感器芯片及其制备方法
申请号:CN202411725738
申请日期:2024-11-28
公开号:CN119573927A
公开日期:2025-03-07
类型:发明专利
摘要
本发明属于MEMS压阻式压力传感器技术领域,具体涉及一种原位减小输出漂移的压力传感器芯片及其制备方法,包括硅衬底、第一玻璃和第二玻璃;所述硅衬底正面包括多个敏感电阻和校准电阻,敏感电阻形成第一惠斯通电桥,并位于敏感结构应力集中区,校准电阻形成第二惠斯通电桥,并位于固支结构无应力区;本发明通过掺杂工艺制备而成敏感电阻和校准电阻,敏感电阻和校准电阻形成的第一惠斯通电桥和第二惠斯通电桥的差值就是压力信号,通过上述结构去除了压力传感器芯片在加工和封装过程中残余应力带来的偏移信号,原位减小了输出漂移量,压力传感器的性能得到了保障。
技术关键词
压力传感器芯片 校准电阻 硅衬底 惠斯通电桥 敏感结构 MEMS压阻式压力传感器 光刻胶 原位 正面 玻璃 金属图形 应力 导线 接触孔 二氧化硅 空腔 铂电阻
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