一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法

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一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法
申请号:CN202411726742
申请日期:2024-11-28
公开号:CN119647381B
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法,属于MOS场效应管性能与可靠性分析技术领域。为了解决现有的MOS场效应管失效物理建模方案未曾考虑性能参数退化过程以及退化模型中的模型系数存在无法反映批次产品一致性的问题,本发明首先根据MOS场效应管的典型失效机理,确定考虑质量一致性的失效物理模型通用表达形式,开展MOS场效应管多应力加速试验设计并试验得到加速试验结果,采用基于Copula的多参数相关性方法,计算失效物理模型系数,得到电子元器件失效物理模型,进而确定考虑质量一致性的失效物理模型。最后根据考虑质量一致性的失效物理模型进行估计。
技术关键词
失效物理模型 MOS场效应管 建模方法 电子元器件 应力 寿命 相关性方法 估计方法 可靠性分析技术 样本 速率 数据 参数 退化模型 典型 变量 算法 误差
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