一种双模态压电电子学晶体管及其制备方法

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一种双模态压电电子学晶体管及其制备方法
申请号:CN202411727156
申请日期:2024-11-28
公开号:CN119630262A
公开日期:2025-03-14
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种双模态压电电子学晶体管及其制备方法,属于柔性电子器件技术领域。本发明提供的双模态压电电子学晶体管以柔性基底材料为底电极,底电极上附着有钇掺杂氧化锌的功能层,功能层上制备有PMMA阻挡层,PMMA阻挡层上制备有表面双电极,底电极、功能层、阻挡层和表面双电极外部设置有封装外层。本发明结合特殊的平面电极结构和稀土离子掺杂策略,通过表征Y‑DPT的半导体特性和压电性,实现了其独特的静态力‑动态力双模态信号响应能力,为多模态检测提供了一种新思路,在柔性人工智能产品中具有广阔的应用前景。
技术关键词
柔性基底材料 氧化锌纳米棒阵列 阻挡层 晶体管 ITO导电薄膜 柔性电子器件技术 种子层 钇掺杂氧化锌 双模态 平面电极结构 氧化钇 人工智能产品 稀土离子掺杂 溶液 二甲基乙酰胺 旋涂工艺
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